langue:fr
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Produits Détails
  • image of Matrices FET, MOSFET>PJT7838_R1_00001
  • image of Matrices FET, MOSFET>PJT7838_R1_00001
modèle PJT7838_R1_00001
Classification des produits Matrices FET, MOSFET
Fabricants PANJIT
type MOSFET 2N-CH 50
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 23855
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.1111
Les stocks: 23855
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

1

$0.4949

$0.4949

10

$0.3535

$3.5350

100

$0.1717

$17.1700

500

$0.1515

$75.7500

1000

$0.1212

$121.2000

3000

$0.1111

$333.3000

6000

$0.1010

$606.0000

9000

$0.0909

$818.1000

30000

$0.0909

$2,727.0000

75000

$0.0808

$6,060.0000

image of Matrices FET, MOSFET>15798472
15798472
modèle
15798472
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricants
PANJIT
type
MOSFET 2N-CH 50
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
17355
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantPANJIT
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max350mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss)50V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C400mA (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds36pF @ 25V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs1.45Ohm @ 500mA, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs0.95nC @ 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id1V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-363
captcha

Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
+86-15869849588
0