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Element(Hong Kong ) Technology

Produits Détails
  • image of Matrices FET, MOSFET>PJQ5848-AU_R2_000A1
  • image of Matrices FET, MOSFET>PJQ5848-AU_R2_000A1
modèle PJQ5848-AU_R2_000A1
Classification des produits Matrices FET, MOSFET
Fabricants PANJIT
type MOSFET 2N-CH 40
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 13000
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
prix: $0.4646
Les stocks: 13000
Le nombre total

quantité

prix

Le prix total

3000

$0.4646

$1,393.8000

6000

$0.4444

$2,666.4000

9000

$0.4242

$3,817.8000

image of Matrices FET, MOSFET>15797745
15797745
modèle
15797745
Classification des produits
Matrices FET, MOSFET
Fabricants
PANJIT
type
MOSFET 2N-CH 40
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantPANJIT
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse8-PowerTDFN
Type de montageSurface Mount
Configuration2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max2W (Ta), 23.8W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C8.6A (Ta), 30A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1040pF @ 20V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 12A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurDFN5060B-8
GradeAutomotive
QualificationAEC-Q101
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Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
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+86-15869849588
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