langue:fr
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>CEDM8001VL TR PBFREE
  • image of FET simples, MOSFET>CEDM8001VL TR PBFREE
modèle CEDM8001VL TR PBFREE
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Central Semiconductor
type MOSFET P-CH 20V
encapsulé -
Emballage Bande et bobine (TR)
quantité 13000
État de RoHS 1
Obtenir des informations sur les offres
image of FET simples, MOSFET>5054559
5054559
modèle
5054559
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
Central Semiconductor
type
MOSFET P-CH 20V
encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
quantité
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Produits Paramètres
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
TAPERDESCRIPTION
FabricantCentral Semiconductor
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseSC-101, SOT-883
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-65°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C100mA (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
Dissipation de puissance (maximum)100mW (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseurSOT-883VL
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Vgs (Max)10V
Tension drain-source (Vdss)20 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs0.66 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 3 V
captcha

Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
+86-15869849588
0