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Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | BUK7E3R5-60E,127 |
|---|---|
| Classification des produits： | FET simples, MOSFET |
| Fabricants： | NXP Semiconductors |
| type： | TRANSISTOR >30M |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | En gros |
| quantité： | 13710 |
| État de RoHS： | |
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quantité
prix
Le prix total
316
$0.9595
$303.2020
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | NXP Semiconductors |
| Série | TrenchMOS™ |
| Emballer | En gros |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Type de montage | Through Hole |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 120A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (maximum) | 293W (Tc) |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Package d'appareil du fournisseur | I2PAK |
| Grade | Automotive |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8920 pF @ 25 V |
| Qualification | AEC-Q101 |
