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Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | BSO4804HUMA2 |
|---|---|
| Classification des produits： | Matrices FET, MOSFET |
| Fabricants： | IR (Infineon Technologies) |
| type： | MOSFET 2N-CH 30 |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 13000 |
| État de RoHS： | |
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | OBSOLETE |
| Colis/Caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 2W |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 8A (Ta) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Fonctionnalité FET | Logic Level Gate |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
| Package d'appareil du fournisseur | PG-DSO-8 |
