modèle: | BS250KL-TR1-E3 |
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Classification des produits: | FET simples, MOSFET |
Fabricants: | Vishay / Siliconix |
type: | MOSFET P-CH 60V |
encapsulé: | - |
Emballage: | Bande et bobine (TR) |
quantité: | 13000 |
État de RoHS: | 1 |
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TAPER | DESCRIPTION |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Série | TrenchFET® |
Emballer | Bande et bobine (TR) |
État du produit | OBSOLETE |
Colis/Caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Type de montage | Through Hole |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Type FET | P-Channel |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 270mA (Ta) |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
Dissipation de puissance (maximum) | 800mW (Ta) |
Vgs(e) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Package d'appareil du fournisseur | TO-92-18RM |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Tension drain-source (Vdss) | 60 V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 15 V |