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Element(Hong Kong ) Technology
| modèle： | BAV99,LM |
|---|---|
| Classification des produits： | Réseaux de diodes |
| Fabricants： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| type： | DIODE ARRAY GP |
| encapsulé： | - |
| Emballage： | Bande et bobine (TR) |
| quantité： | 18463 |
| État de RoHS： | 1 |
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quantité
prix
Le prix total
1
$0.1919
$0.1919
10
$0.1313
$1.3130
100
$0.0707
$7.0700
500
$0.0606
$30.3000
1000
$0.0404
$40.4000
3000
$0.0303
$90.9000
6000
$0.0303
$181.8000
9000
$0.0303
$272.7000
30000
$0.0202
$606.0000
75000
$0.0202
$1,515.0000
150000
$0.0202
$3,030.0000
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inversée (trr) | 3 ns |
| Technologie | Standard |
| Configuration des diodes | 1 Pair Series Connection |
| Courant - Moyenne redressée (Io) (par diode) | 215mA |
| Package d'appareil du fournisseur | SOT-23-3 |
| Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
| Tension - CC inverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Tension - Direct (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 200 nA @ 80 V |
