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Element(Hong Kong ) Technology

Produits Détails
  • image of FET simples, MOSFET>2SJ529L06-E
  • image of FET simples, MOSFET>2SJ529L06-E
modèle 2SJ529L06-E
Classification des produits FET simples, MOSFET
Fabricants Renesas
type 2SJ529L06 - P-C
encapsulé -
Emballage En gros
quantité 73244
État de RoHS
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prix: $1.0302
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image of FET simples, MOSFET>16348621
16348621
modèle
16348621
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
Renesas
type
2SJ529L06 - P-C
encapsulé
-
Emballage
En gros
quantité
66744
lang_roHSStatusStatus
Produits Paramètres
PDF(1)
TAPERDESCRIPTION
FabricantRenesas
Série-
EmballerEn gros
État du produitOBSOLETE
Colis/CaisseTO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Type de montageThrough Hole
Température de fonctionnement150°C
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Type FETP-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C10A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)20W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id2V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseurDPAK(L)-(2)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Vgs (Max)±20V
Tension drain-source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds580 pF @ 10 V
captcha

Horaires de service: du lundi au samedi 9h00-18h00
Veuillez sélectionner le service en ligne :
+86-15869849588
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