RF FET и MOSFET являются важными компонентами в множестве приложений, от телекоммуникаций до потребительской электроники и индустриальной автоматизации. Их способность эффективно контролировать и усиливать сигналы лежит в основе функциональности современных электронных систем. В то время как продолжаются исследования и разработки в области материалов (например, GaN) и архитектур устройств, ожидается, что производительность и применимость RF FET и MOSFET будут расширяться, открывая путь к инновационным решениям в различных областях. Направленные на это исследования и разработки обещают улучшить возможности этих устройств, делая их еще более важными для будущих технологий.